Powertransistor van galliumnitride

Samenvatting

Op Cornel University is een powertransistor ontwikkeld met zeer lage doorlaatweerstand en hoge doorslagspanning.
 

Powertransistor van galliumnitride

17 dec 2009     Junxia Shi, onderzoeker van het laboratorium van professor Lestman Eastman van Cornell University heeft een zeer efficiĆ«nte vermogenstransistor ontwikkeld die is gebaseerd op galliumnitride in plaats van het gebruikelijke silicium.
Galliumnitride heeft unieke electrische eigenschappen en zou in de toekomst silicium kunnen vervangen voor power toepassingen.
De weerstand van de transoistor in geleidende toestand is 10 tot 20 maal lager dan bij de hedendaagse silicium power transistoren. De transitor heeft ook een 10 maal hogere doorslagspanning, daarmee is het een uitstekende kandidaat voor het schakelen van grote vermogens.
Patenten zijn aangevraagd.

(Pieter J.T.Bruinsma, PA0PHB) 

Referenties, informatie:

Cornell => nieuwsbericht

Grote uitvoering van galliumnitride powertransistor
Grote uitvoering van galliumnitride powertransistor

lll